磁控濺射，磁場操控的二級濺射。

原理是將靶材周圍的氣體電離化，構(gòu)成等離子體，在等離子體環(huán)境中濺射進程。歸于氣體放電領(lǐng)域。

優(yōu)質(zhì)的膜層需求操控膜層的安穩(wěn)性和均勻性，而體現(xiàn)在操控方面，則表現(xiàn)為：磁場、氣場、電源。

1.磁場的安穩(wěn)：靶芯的磁場的均勻性。

2.氣場的安穩(wěn)：安穩(wěn)的抽氣和進氣體系。

3.電源的安穩(wěn)：反應(yīng)操控體系。

以上問題決定了膜層操控的好壞。以上的鍍膜設(shè)備差價也有百倍、千倍。幾萬到幾億不等。

從以上能看出鍍膜環(huán)境對膜層的影響。所以，漏氣狀況跟膜層的好壞關(guān)系巨大。

問題（1）：漏氣影響很嚴重。針對分子泵極限真空到達2X10-2Pa的狀況，漏氣狀況遠大于此時的真空，分子泵在2X10-2Pa的抽速為zui高抽速（用1200L/S的泵體來核算，抽速為1200L/S，排氣流量可到達8.0X102PaL/S，PS：注意這里是102.）漏氣已經(jīng)很嚴重了。一般極限真空需求在10-5Pa，而本地真空依據(jù)工藝要求調(diào)節(jié)，一般也不會大于8.0X10-2Pa。別的，濺射進程中，布氣管放氣和抽氣進程是通過核算的，其方法可盡量減小氣場的擾動。所以，假如漏氣效果產(chǎn)生的話，將影響漏氣點較大規(guī)模的氣場擾動和氣壓的大小。膜層也將受到很大影響。

問題（2）：這個問題歸于流體力學(xué)，分為粘滯流、分子流、粘滯分子流。三者的不同在于粘滯流是指的分子自在程遠遠小于管道最小截面，一般為1Pa左右為界定條件；分子流是分子自在程遠遠大于管道最小截面，一般為10-2Pa左右為界定條件；兩者中心的過度則稱為粘滯分子流。因為分子磕碰方法不同，三者流導(dǎo)核算則歸于不同的核算方法。不過一般來說，鍍膜設(shè)備抽氣體系盡量短，而直徑盡量寬泛。才干更好的安穩(wěn)抽速。抽氣體系的管道直徑也需求依據(jù)真空主管道的長度來核算，不過一般的鍍膜真空體系根本沒有問題。主管道間隔0.5m左右，粗度可與分子泵口的寬度相同即可（鍍膜機廠家都核算過）。假如想添加抽速，需求依據(jù)詳細管道尺度、轉(zhuǎn)彎、變徑等狀況詳細核算。

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