磁控濺射的鍍膜過(guò)程有哪些？

氣體放電：輝光放電產(chǎn)生等離子體，使工作氣體離化，產(chǎn)生陽(yáng)離子，在電場(chǎng)作用下轟擊陰，并伴有二次電子發(fā)射等現(xiàn)象出現(xiàn)。對(duì)輝光放電等離子體的研究是研究濺射沉積過(guò)程的必由之路。

濺射碰撞：濺射碰撞一般是研究帶電荷能離子與靶材表層粒子相互作用，并伴隨靶材原子及原子團(tuán)簇的產(chǎn)生的過(guò)程。應(yīng)用較多的理論是級(jí)聯(lián)碰撞理論。SRIM等較成熟的模擬軟件已經(jīng)在模擬濺射過(guò)程中得到了廣泛應(yīng)用。

輸運(yùn)過(guò)程：靶材原子以一定的初始速度向基片和其它表面的運(yùn)動(dòng)，伴隨能量和動(dòng)量的改變，并終獲得凈的定向輸運(yùn)量(粒子數(shù))。在外加場(chǎng)(質(zhì)量，動(dòng)量，能量)作用下，輸運(yùn)過(guò)程更加復(fù)雜。常用MC方法和其它方法(PIC，CIC，CFD等方法)的混合應(yīng)用來(lái)獲得基片上沉積粒子的數(shù)量。簡(jiǎn)化的粒子輸運(yùn)計(jì)算方法是將沉積粒子劃分為快速運(yùn)動(dòng)(不發(fā)生碰撞，直接到達(dá)基片表面)和慢速運(yùn)動(dòng)(發(fā)生碰撞，通過(guò)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到基片表面)兩類粒子。氣體加熱、稀薄化及濺射風(fēng)(高能中性粒子)等效應(yīng)均是氣體與帶有能量的粒子通過(guò)碰撞發(fā)生動(dòng)量和能量交換的結(jié)果。

薄膜生長(zhǎng)：基片上靶材原子發(fā)生擴(kuò)散、遷移和聚集等運(yùn)動(dòng)，終生長(zhǎng)成膜。薄膜的屬性和基片的溫度、晶格常數(shù)、表面狀態(tài)和電磁場(chǎng)等有著密切關(guān)系。鍍膜后期的處理，如退火等工藝，都會(huì)嚴(yán)重影響薄膜的屬性。一般采用MC等方法模擬薄膜生長(zhǎng)。同時(shí)，一些公司的專業(yè)軟件可以實(shí)現(xiàn)膜系的設(shè)計(jì)。

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