磁控濺射，磁場(chǎng)操控的二級(jí)濺射。

原理是將靶材周圍的氣體電離化，構(gòu)成等離子體，在等離子體環(huán)境中濺射進(jìn)程。歸于氣體放電領(lǐng)域。

優(yōu)質(zhì)的膜層需求操控膜層的安穩(wěn)性和均勻性，而體現(xiàn)在操控方面，則表現(xiàn)為：磁場(chǎng)、氣場(chǎng)、電源。

1.磁場(chǎng)的安穩(wěn)：靶芯的磁場(chǎng)的均勻性。

2.氣場(chǎng)的安穩(wěn)：安穩(wěn)的抽氣和進(jìn)氣體系。

3.電源的安穩(wěn)：反應(yīng)操控體系。

以上問(wèn)題決議了膜層操控的好壞。以上的鍍膜設(shè)備差價(jià)也有百倍、千倍。幾萬(wàn)到幾億不等。

從以上能看出鍍膜環(huán)境對(duì)膜層的影響。所以，漏氣狀況跟膜層的好壞聯(lián)系巨大。

問(wèn)題（1）：漏氣影響很嚴(yán)重。針對(duì)分子泵極限真空抵達(dá)2X10-2Pa的狀況，漏氣狀況遠(yuǎn)大于此時(shí)的真空，分子泵在2X10-2Pa的抽速為zui高抽速（用1200L/S的泵體來(lái)核算，抽速為1200L/S，排氣流量可達(dá)到8.0X102PaL/S，PS：留意這里是102.）漏氣已經(jīng)很嚴(yán)重了。一般極限真空需求在10-5Pa，而本地真空根據(jù)工藝要求調(diào)理，一般也不會(huì)大于8.0X10-2Pa。別的，濺射進(jìn)程中，布?xì)夤芊艢夂统闅膺M(jìn)程是通過(guò)核算的，其方法可盡量減小氣場(chǎng)的擾動(dòng)。所以，假如漏氣效果發(fā)生的話，將影響漏氣點(diǎn)較大范圍的氣場(chǎng)擾動(dòng)和氣壓的巨細(xì)。膜層也將受到很大影響。

問(wèn)題（2）：這個(gè)問(wèn)題歸于流體力學(xué)，分為粘滯流、分子流、粘滯分子流。三者的差別在于粘滯流是指的分子自在程遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于管道最小截面，一般為1Pa左右為界定條件；分子流是分子自在程遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于管道最小截面，一般為10-2Pa左右為界定條件；兩者中間的過(guò)度則稱為粘滯分子流。由于分子磕碰方法不同，三者流導(dǎo)核算則歸于不同的核算方法。不過(guò)一般來(lái)說(shuō)，鍍膜設(shè)備抽氣體系盡量短，而直徑盡量廣泛。才干更好的安穩(wěn)抽速。抽氣體系的管道直徑也需求依據(jù)真空主管道的長(zhǎng)度來(lái)核算，不過(guò)一般的鍍膜真空體系根本沒(méi)有問(wèn)題。主管道間隔0.5m左右，粗度可與分子泵口的寬度相同即可（鍍膜機(jī)廠家都核算過(guò)）。假如想增加抽速，需求根據(jù)詳細(xì)管道尺度、轉(zhuǎn)彎、變徑等狀況詳細(xì)核算。

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