在磁控濺射過程中，具體工藝過程對薄膜性能影響很大，主要工藝流程如下：

（1）基片清洗，主要是用異丙醇蒸汽清洗，隨后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；

（2）抽真空，真空須控制在2 × 104 Pa以上，以保證薄膜的純度；

（3）加熱，為了除去基片表面水分，提高膜與基片的結(jié)合力，需要對基片進行加熱，溫度一般選擇在150 ℃~200 ℃之間；

（4）氬氣分壓，一般選擇在0.01一lPa范圍內(nèi)，以滿足輝光放電的氣壓條件；

（5）預(yù)濺射，預(yù)濺射是通過離子轟擊以除去靶材表面氧化膜，以免影響薄膜質(zhì)量；

（6）濺射，氬氣電離后形成的正離子在正交的磁場和電場的作用下，高速轟擊靶材，使濺射出的靶材粒子到達基片表面沉積成膜；

（7）退火，薄膜與基片的熱膨脹系數(shù)有差異，結(jié)合力小，退火時薄膜與基片原子相互擴散可以有效提高粘著力。

磁控濺射鍍膜技術(shù)由于其顯著的優(yōu)點已經(jīng)成為制備薄膜的主要技術(shù)之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區(qū)域的分布，顯著提高了薄膜的質(zhì)量。中頻濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展有效克服了反應(yīng)濺射過程中出現(xiàn)的打弧現(xiàn)象，減少了薄膜的結(jié)構(gòu)缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。高速濺射、高能脈沖磁控濺射鍍膜技術(shù)為濺射鍍膜開辟了嶄新的研究領(lǐng)域。在未來的研究中，新濺射技術(shù)向生活領(lǐng)域的推廣、磁控濺射鍍膜技術(shù)與計算機的結(jié)合都將成為研究熱點，利用計算機模擬鍍膜時的磁場、電場、溫度場、以及等離子體的分布，必將能給濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展提供巨大的擴展空間，推動磁控濺射鍍膜技術(shù)向工業(yè)及生活領(lǐng)域轉(zhuǎn)化。