近年來，隨著新材料的開發(fā)，尤其是薄膜材料的發(fā)展和應(yīng)用，帶動(dòng)控濺射沉積技術(shù)的飛速發(fā)展，在科學(xué)研究領(lǐng)域和工業(yè)生產(chǎn)中有著不可替代的重要作用。本文主要介紹了控濺射沉積鍍膜技術(shù)的工藝過程及其發(fā)展情況，各種主要磁控濺射鍍膜儀的特點(diǎn)，并介紹磁控濺射技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的主要應(yīng)用。

濺射鍍膜過程主要是將欲沉積成薄膜的材料制成靶材，固定在濺射沉積系統(tǒng)的陰極上，待沉積薄膜的基片放在正對(duì)靶面的陽極上。濺射系統(tǒng)抽至高真空后充入氬氣等，在陰極和陽極之間加載高壓，陰陽極之間會(huì)產(chǎn)生低壓輝光放電。放電產(chǎn)生的等離子體中，氬氣正離子在電場(chǎng)作用下向陰極移動(dòng)，與靶材表面碰撞，受碰撞而從靶材表面濺射出的靶材原子稱為濺射原子，濺射原子的能量一般在一至幾十電子伏范圍，濺射原子在基片表面沉積而后成膜。濺射鍍膜就是利用低氣壓輝光放電產(chǎn)生的氬氣正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊陰極靶材，把靶材中的原子或分子等粒子濺射出而沉積到基片或者工件表面，形成所需的薄膜層。但是濺射鍍膜過程中濺射出的粒子的能量很低，導(dǎo)致成膜速率不高。

磁控濺射技術(shù)是為了提高成膜速率在濺射鍍膜基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交的磁場(chǎng)，氬氣電離率從 0.3％一0.5％提高到了5％一6％，這樣就解決了濺射鍍膜沉積速率低的問題，是目前工業(yè)上精密鍍膜的主要方法之一?？芍苽涑纱趴貫R射陰極靶材的原料很廣，兒乎所有金屬、合金以及陶瓷材料都可以制備成靶材。磁控濺射鍍膜在相互垂直的磁場(chǎng)和電場(chǎng)的雙重作用下，沉積速度快，膜層致密且與基片附著性好，非常適合于大批量且高效率的工業(yè)化生產(chǎn)。