磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝成本核算的一個(gè)參數(shù)。目前沒有見到對(duì)磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對(duì)磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。對(duì)于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對(duì)運(yùn)動(dòng)且靶材直接與冷卻水接觸的靶， 靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對(duì)要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，不作專門討論)，且多為估計(jì)值。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動(dòng)態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場圓柱靶最著名且在工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管 

如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點(diǎn),圓柱管靶利用高,但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用。 

特點(diǎn) 

利用外加磁場捕捉電子，延長和束縛電子的運(yùn)動(dòng)路徑，搞高離化率，增加鍍膜速率。 

1)濺射粒子(主要是原子，還有少量離子等)的平均能量達(dá)幾個(gè)電子伏，比蒸發(fā)粒子的平均動(dòng)能kT高得多(3000K蒸發(fā)時(shí)平均動(dòng)能僅0.26eV)，濺射粒子的角分布與入射離子的方向有關(guān)。(2)入射離子能量增大(在幾千電子伏范圍內(nèi))，濺射率(濺射出來的粒子數(shù)與入射離子數(shù)之比)增大。入射離子能量再增大，濺射率達(dá)到極值；能量增大到幾萬電子伏，離子注入效應(yīng)增強(qiáng)，濺射率下降。(3)入射離子質(zhì)量增大，濺射率增大。(4)入射離子方向與靶面法線方向的夾角增大，濺射率增大(傾斜入射比垂直入射時(shí)濺射率大)。(5)單晶靶由于焦距碰撞(級(jí)聯(lián)過程中傳遞的動(dòng)量愈來愈接近原子列方向)，在密排方向上發(fā)生優(yōu)先濺射。(6)不同靶材的濺射率很不相同。

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