在使用磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備的時(shí)候，使用通常的濺射方法，發(fā)現(xiàn)濺射效率都不是非常的高。為了提高濺射的效率，加快工作的進(jìn)度。

那么該如何加快這種設(shè)備的使用效率呢？這就需要增加氣體的理化效率。增加氣體的離化效率能夠有效的提高濺射的效率。

淺析磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備鍍膜優(yōu)勢(shì)

通常在健身過程中，經(jīng)過加速的入射離子轟擊靶材陰極表面的時(shí)候，會(huì)產(chǎn)生電子發(fā)射，而這些在陰極表面產(chǎn)生的電子開始向陽極加速進(jìn)入負(fù)輝光區(qū)，和中性氣體原子進(jìn)行碰撞，產(chǎn)生的自持的輝光放電所需離子。電子在平均只有程隨著電子能量的增大而增大，隨著氣壓的增大而減小，特別是在遠(yuǎn)離陰極的地方產(chǎn)生，它們的熱壁損失也是非常大的，這主要是因?yàn)槠潆x化效率低。

因此可以加上一平行陰極表面的磁場(chǎng)就能夠?qū)⒊跏茧娮酉拗圃陉帢O范圍內(nèi)，能夠有效的增加氣體原子的梨花效率，從而提高磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備的濺射效率。

磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備的穩(wěn)定性，對(duì)所生成的膜均勻性、成膜質(zhì)量、鍍膜速率等方面有很大的影響。磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備的濺射種類有很多，按照使用的電源分，能夠分為直流磁控濺射，射頻磁控濺射，中頻磁控濺射等等。

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點(diǎn)是濺射速率快，造價(jià)低，后期維修保養(yǎng)便宜。但是只能濺射金屬靶材，如果靶材是絕緣體，隨著濺射的深入，靶材會(huì)聚集大量的電荷，導(dǎo)致濺射無法繼續(xù)。因此對(duì)于金屬靶材通常用直流磁控濺射，由于造價(jià)便宜，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，目前在工業(yè)上應(yīng)用廣泛。

射頻磁控濺射所用的射頻電源的頻率通常是13.56 MHz，可以解決直流磁控濺射不能濺射絕緣靶材的問題。射頻磁控濺射的特點(diǎn)是：絕緣靶材和金屬靶材都能濺射，膜層與基片的附著力強(qiáng)。但是由于結(jié)構(gòu)裝置比較復(fù)雜，射頻電源價(jià)格昂貴，維修維護(hù)成本比較高，會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生輻射，并且需要外部的匹配網(wǎng)絡(luò)等因素，不適合應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。